a-Si相关论文
a-Si:H/c-Si异质结太阳电池（HAC）因高效、工艺简单、温度系数低等优势,在光伏电力领域前景广阔。氧化铟锡（ITO）薄膜作为HAC太阳电池的......
用对撞锁模Nd:YAG激光器产生的超短光脉冲对非晶硒化镉和辉光放电非晶硅的瞬态响应进行研究,并用多重俘获传导模型分析光生载流子......
采用等离子体增强化学气相沉积法制备了不同PH3/SiH4气流量比条件下的N型a-Si:H系列薄膜,研究了PH3/SiH4气流量比对N型a-Si:H薄膜......
期刊
为提高薄膜太阳能电池的转换效率,采用1 064nm与532 nm纳秒激光器及515 nm皮秒激光器对a-Si和CIGS薄膜太阳能电池的刻线工艺进行了......
采用PECVD技术制备a-Si：H/a-Si：H叠层双结非晶硅电池，研究了本征层厚度对叠层电池功率及短路电流的影响。通过调节顶电池和底电池本征......
本文报道了沉积于玻璃基板上的a-Si:H基结构在6K下测定的光致发光光谱.认为其非高斯特性是由材料中的不同相引起的.由光谱拟合获得......
对3个薄膜光伏并网电站(12dTe、CIGS、a-Si,以下简称电站)进行了描述,对2008年2月～2009年1月的数据进行了分析.根据设计,电站每3min......
本文对在等离子体刻蚀工艺中,功率、压强、气体比例重要参数对a-Si刻蚀均一性的影响进行了研究。采用PECVD成膜、RIE等离子体刻蚀,......
本文对在等离子体刻蚀工艺中,功率、压强、气体比例重要参数对a-Si刻蚀均一性的影响进行了研究。采用PECVD成膜、RIE等离子体刻蚀,......
本文对近期平板显示市场的一些变化，如液晶的大幅降价对PMOLED（被动式OLED）的冲击，AMOLED（主动式OLED）的最新变化及技术趋势进行了概括分......
非晶硅平板探测器(a-Si Flat Panel Detector)已在无损检测、医疗领域的连续式X光照相中得到了广泛应用,但在脉冲式(ns量级)闪光X......
Oxide TFT象征更高阶的平面显示面板技术，但导入量产耗时较预期为长 由于高清智能手机面板这样高分辨率平面显示面板的稳定增长，......
军用非致冷红外热像仪要求有很好的环境温度的适应性，其工作温度要求一般为-40-60℃。根据国内常见的非晶硅型非致冷焦平面器件的材......
在SID 2005会议上的许多展品都是令人印象深刻的,虽然并不全是真正的创新产品.背光技术的多项重大进展以及遍及全行业的背光技术革......
近两年全球大尺寸面板需求大幅降低,渐渐接近天花板效应,同时随着a-Si TFT技术愈发成熟,面板价格长期处于成本边缘,降无可降,厂商......
在红外枪瞄系统中,探测器决定着整个系统的性能,为了增强焦平面适应低温操作环境的能力,人们把红外焦平面的低温特性作为了关注的......
文中通过使用DOE实验设计方法对磁控溅射设备a-Si靶工艺特性进行能力研究，给出了该设备工艺随功率、压力、温度的设定条件下a-Si介......
基于pin结构的a-Si∶H太阳能电池中的空间电荷效应,讨论了a-Si/poly-Si叠层太阳能电池的稳定性.结果表明,在光照射下,光生空穴俘获......
研究a-Si:H薄膜样品在长时间强光照后会引起光、暗电导率的降低(S-W效应)及薄膜的光转换效率.实验表明,随着光照时间增加,薄膜的光......
采用直流磁控溅射法在不同H：流量的条件下制备了a-si：H薄膜，研究了H：流量对薄膜微观结构以及光学性能的影响。结果表明：随H：流量的增加，a．S......
近年来，采用微机械室温红外探测器实现热成像是MEMS领域和光学成像领域的研究热点。本文深入系统地研究了a-Si薄膜、polySiGe薄膜和......
